Издание содержит конструктивно-технологические варианты реализации радиационно стойких элементов полупроводниковых приборов и
интегральных микросхем, изготовленных по различным способам технологии. Приведены оптимальные технологические режимы формирования
приборов и интегральных схем с заданными электрическими параметрами для разработки радиационно стойких структур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров. Описаны процессы формирования радиационно стойких полупроводниковых приборов и интегральных
микросхем с учетом влияния воздействий ионизирующих излучений.
